IGBT門極驅動電阻如何計算

  IGBT是通過門極電容的充放電來控制開通和關斷，門極電容的充放電通過門極驅動電阻來控制，門極驅動電阻的大小影響lGBT的開關時間、開關損耗、反向偏壓安全工作區、短路安全工作區等，還與電路的EMI、du/dt、di/dt等有著密切的關系，門極驅動電阻的選擇是驅動電路設計的重要部分。附表是驅動電阻的變化與驅動電路參數的關系。

  從附表可以看出，門極驅動電阻越大，開關損耗和驅動脈沖上升下降時間就越少，相反，減少驅動電阻，開關損耗和脈沖上升下降時間就會增加。門極驅動電流的峰值可以表示為 其中：I_GM 是門極驅動電路輸出的峰值電流；
  V_G(on) 正偏壓電源電壓；
  V_G(off) 負偏壓電源電壓；
  R_G 驅動電路門極電阻；
  R_G(int) 模塊內部的驅動電阻。   總之，IGBT門極驅動電阻可以參考以下要求：
  (1)額定電流大的器件門極驅動電阻較小，額定電流小的器件，門極驅動電阻比較大。
  (2)驅動電阻的最優選值可以取IGBT手冊標注的電阻值的兩倍。由于手冊標注的電阻往往是最小的電阻，所以可以考慮選取兩倍的電阻作為參考電阻，這樣可以保證IGBT發生特殊情況時可靠關斷。
  開通電阻R_G(on)往往比關斷電阻R_G(off)小，一般開通電阻可以取到關斷電阻的1/2。



上一篇：IGBT對驅動電路有哪些基本要求?
下一篇：使用IGBT驅動器需要注意哪些問題?