FF450R17ME4_專用IGBT驅動板

  IGBT技術不斷發展，其結構和工藝技術也發生了較大的變化。IGBT的結構發展經歷了穿透型（PT）、非穿透型（NPT）以及場終止型（TFS）。隨著結構的不斷升級，其產品技術特性也得到了不斷發展，從在穿透型的IGBT升級到具有更快關斷速度、開關損耗更低以及更加耐用的非穿透型，再到芯片更薄、導通損耗更低以及開關損耗更低的場終止型。
  FF450R17ME4為英飛凌EconoDUAL™ 3模塊，采用第四代溝槽柵/場終止IGBT4和第三代發射極控制二極管，帶有溫度檢測NTC。FF450R17ME4電壓為1700 V，電流為450A。其目標應用包括：工業電子產品的眾多功率應用中，包括工業驅動與運動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源／開關電源和焊接機械。這個新的IGBT模塊滿足了市場對具備更高功率和最高可靠性的緊湊式IGBT模塊與日俱增的需求。FF450R17ME4采用了巧妙的優化芯片布局和模塊設計。這種創新封裝概念，提高了散熱性，降低了基板與散熱器之間的熱阻，并且最大限度地減小了內部漏感。 FF450R17ME4模塊的關鍵優勢：超低損耗，確保高效率及開關速度；高耐用性帶來了嚴苛應用環境下的高可靠性，高短路能力降低了保護需求；正溫度系數器件可輕松并聯以提高電流處理能力；快速續流二極管提供緊湊模塊封裝形式的一體化方案。
 
  FF450R17ME4規格參數
  產品種類: IGBT 模塊
  制造商: Infineon
  產品: IGBT Silicon Modules
  配置: Dual
  集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1700 V
  集電極—射極飽和電壓: 2.3 V
  在25 C的連續集電極電流: 600 A
  柵極—射極漏泄電流: 400 nA
  Pd-功率耗散: 2500 W
  最大工作溫度: + 150 C
  商標: Infineon Technologies
  柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
  最小工作溫度: - 40 C
  安裝風格: Screw
  工廠包裝數量: 10
 

 
  FF450R17ME4 IGBT驅動選擇，柵極電阻Rg的作用
  1、消除柵極振蕩
  絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結構，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產生很強的振蕩，因此必須串聯一個電阻加以迅速衰減。
  2、轉移驅動器的功率損耗
  電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上，使其溫度上升很多。
  3、調節功率開關器件的通斷速度
  柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗??；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率大大提高，從而產生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統籌兼顧。
 
  海飛樂技術2HF0220-17是一款雙通道即插即用大功率IGBT驅動板，板上集成了IGBT驅動所需的全部器件，包括兩路隔離的DC/DC變換器以及死區電路、短路保護電路等。它的每通道的驅動能力為：2W/±20A/30kHz，產品專為FF450R17ME4大功率IGBT模塊設計。
 
  2HF0220-17的技術指標
  驅動通道數：2 通道；
  IGBT 阻斷電壓 Vce：1200V/1700V；
  額定輸入電壓：15V（±0.5V）；
  最大驅動電流：± 20A；
  內置 DC/DC 功率：2*2W；
  PWM 輸入電平：0-15V（COMS 或是 TTL 電平）；
  額定驅動電壓：+15V/-7V；  
  2HF0220-17具有出色的電磁兼容能力，適用于各種EconoDUAL™3封裝的1700V大功率IGBT模塊驅動。與瑞士CONCEPT公司的2SP0115T相比，2HF0220-17的輸出功率更大，達到了2W*2，因此可以用于更大功率和更高頻率的IGBT驅動。

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