FF450R17ME4_專用IGBT驅動板
IGBT技術不斷發展,其結構和工藝技術也發生了較大的變化。IGBT的結構發展經歷了穿透型(PT)、非穿透型(NPT)以及場終止型(TFS)。隨著結構的不斷升級,其產品技術特性也得到了不斷發展,從在穿透型的IGBT升級到具有更快關斷速度、開關損耗更低以及更加耐用的非穿透型,再到芯片更薄、導通損耗更低以及開關損耗更低的場終止型。
FF450R17ME4為英飛凌EconoDUAL™ 3模塊,采用第四代溝槽柵/場終止IGBT4和第三代發射極控制二極管,帶有溫度檢測NTC。FF450R17ME4電壓為1700 V,電流為450A。其目標應用包括:工業電子產品的眾多功率應用中,包括工業驅動與運動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源/開關電源和焊接機械。這個新的IGBT模塊滿足了市場對具備更高功率和最高可靠性的緊湊式IGBT模塊與日俱增的需求。FF450R17ME4采用了巧妙的優化芯片布局和模塊設計。這種創新封裝概念,提高了散熱性,降低了基板與散熱器之間的熱阻,并且最大限度地減小了內部漏感。 FF450R17ME4模塊的關鍵優勢:超低損耗,確保高效率及開關速度;高耐用性帶來了嚴苛應用環境下的高可靠性,高短路能力降低了保護需求;正溫度系數器件可輕松并聯以提高電流處理能力;快速續流二極管提供緊湊模塊封裝形式的一體化方案。
FF450R17ME4規格參數
產品種類: IGBT 模塊
制造商: Infineon
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1700 V
集電極—射極飽和電壓: 2.3 V
在25 C的連續集電極電流: 600 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2500 W
最大工作溫度: + 150 C
商標: Infineon Technologies
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
工廠包裝數量: 10

FF450R17ME4 IGBT驅動選擇,柵極電阻Rg的作用
1、消除柵極振蕩
絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結構,柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產生很強的振蕩,因此必須串聯一個電阻加以迅速衰減。
2、轉移驅動器的功率損耗
電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上,使其溫度上升很多。
3、調節功率開關器件的通斷速度
柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗??;反之則慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率大大提高,從而產生較大的干擾,嚴重的將使整個裝置無法工作,因此必須統籌兼顧。
海飛樂技術2HF0220-17是一款雙通道即插即用大功率IGBT驅動板,板上集成了IGBT驅動所需的全部器件,包括兩路隔離的DC/DC變換器以及死區電路、短路保護電路等。它的每通道的驅動能力為:2W/±20A/30kHz,產品專為FF450R17ME4大功率IGBT模塊設計。
2HF0220-17的技術指標
驅動通道數:2 通道;
IGBT 阻斷電壓 Vce:1200V/1700V;
額定輸入電壓:15V(±0.5V);
最大驅動電流:± 20A;
內置 DC/DC 功率:2*2W;
PWM 輸入電平:0-15V(COMS 或是 TTL 電平);
額定驅動電壓:+15V/-7V;

2HF0220-17 外形尺寸圖
2HF0220-17具有出色的電磁兼容能力,適用于各種EconoDUAL™3封裝的1700V大功率IGBT模塊驅動。與瑞士CONCEPT公司的2SP0115T相比,2HF0220-17的輸出功率更大,達到了2W*2,因此可以用于更大功率和更高頻率的IGBT驅動。
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