FF450R12ME4_專用IGBT驅動板

  FF450R12ME4是英飛凌EconoDUAL™系列IGBT模塊，具有溝槽結構，并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優勢。該技術可使靜態和動態損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃，運行溫度最高可達150℃。低損耗，FF450R12ME4 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運行結溫等優點。主要應用在100KW光伏逆變器，電機驅動，電源等領域。
 
  FF450R12ME4 規格參數
  產品種類:  IGBT 模塊    
  制造商:  Infineon    
  RoHS:  符合RoHS    
  產品:  IGBT Silicon Modules    
  配置:  Dual    
  集電極—發射極最大電壓 VCEO:  1200 V    
  集電極—射極飽和電壓:  2.1 V    
  在25 C的連續集電極電流:  675 A    
  柵極—射極漏泄電流:  400 nA    
  Pd-功率耗散:  2250 W    
  最大工作溫度:  + 150 C    
  商標:  Infineon Technologies   
  柵極/發射極最大電壓:  +/- 20 V   
  最小工作溫度:  - 40 C   
  安裝風格:  Screw  
 
  海飛樂技術研發生產的2HF0220-12是一款雙通道即插即用大功率IGBT驅動板，板上集成了IGBT驅動所需的全部器件，包括兩路隔離的DC/DC變換器以及死區電路、短路保護電路等。2HF0220-12每通道的驅動能力為：2W/±20A/30kHz，產品專為EconoDUAL™3封裝的大功率IGBT模塊設計。
  2HF0220-12具有出色的電磁兼容能力，適用于各種EconoDUAL™3封裝的大功率IGBT模塊驅動。適用于驅動1200V的IGBT模塊，與瑞士CONCEPT公司的2SP0115T相比，2HF0220-12的輸出功率更大，達到了2W*2，因此可以用于更大功率和更高頻率的IGBT驅動。

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