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650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型

作者:海飛樂技術 時間:2019-08-09 16:58

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料。
 
  海飛樂技術SiC肖特基勢壘二極管(SBD)在大功率應用方面的最大優勢在于近乎理想的動態特性。在反向恢復瞬態,當二極管從正向導通模式轉變為反向阻斷模式時,有很低的反向恢復時間,而且在整個工作溫度范圍內保持不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件,沒有少數載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復瞬態,所涉及的電荷只有結耗盡區電荷,而且它比相同結構的Si器件結耗盡區電荷至少小一個數量級。這對于要求工作于高阻斷電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環境下,仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。
 
  海飛樂技術碳化硅二極管廣泛應用于開關電源、功率因素校正(PFC)電路、不間斷電源(UPS)、光伏逆變器等中高功率領域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。

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關斷波形圖(650V/10A產品)
 
650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
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