文章列表
聯系我們 產品咨詢

聯系人:吳海麗
電話:0755-2349 0212
手機:157-1205-5037
郵箱:tel-sherry@foxmail.com
地址:廣東省深圳市龍華新區民治街道向南四區松花大廈
點擊這里給我發消息

1200V碳化硅MOSFET系列選型

作者:海飛樂技術 時間:2019-08-09 15:09

  SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比,較高的熱導率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。其具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
 
  海飛樂技術SiC MOSFET在開發與應用方面,實現了傳統型半導體(Si)實現不了的低損耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統級成本。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率。
 
  產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。

1200V碳化硅MOSFET低導通電阻 
 
1200V碳化硅MOSFET系列選型
1200V碳化硅MOSFET芯片1200V碳化硅MOSFET封裝 
1200V碳化硅MOSFET系列選型 
 
 




上一篇:安森美高功率應用TO247封裝IGBT單管
下一篇:650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型

毛片免费看