??1200V碳化硅MOSFET系列選型
作者：海飛樂技術 時間：2019-08-09 15:09
SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。其具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
海飛樂技術SiC MOSFET在開發與應用方面，實現了傳統型半導體(Si)實現不了的低損耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統級成本。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。
產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。
1200V碳化硅MOSFET系列選型
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