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安森美高功率應用TO247封裝IGBT單管

作者:海飛樂技術 時間:2018-08-13 18:01

TO247-2封裝IGBT
  IGBT是電源應用中相當常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT將可為相關應用提供更高的效能與更佳的成本效益,究竟它是如何辦到的?讓我們來進一步深入了解。
 
  通過TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關的三端子功率半導體器件,正如其開發的目的,結合了高效率和快速的開關功能,它在許多應用中切換電力,像是變頻驅動(VFD)、電動汽車、火車、變速冰箱、燈鎮流器和空調。傳統的雙極結型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)的導通電阻小,但是驅動電流大,而MOSFET的導通電阻大,卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點:不僅驅動電流小,導通電阻也很低。
 
  具有四個交替層(P-N-P-N)的IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導體(MOS)柵極結構控制。由于其設計為可以快速地打開和關閉,因此放大器通常會使用它通過脈寬調制和低通濾波器來合成復雜的波形。除了將n+漏極替換為p+集電極層之外,IGBT單元的構造類似于n溝道垂直構造的功率MOSFET,從而形成垂直的PNP雙極結型晶體管。該附加的p+區域產生PNP雙極結型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯連接。
 
  IGBT將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導體推出TO247-4L IGBT系列,具有強大且經濟實惠的Field StopII Trench結構,并且在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,提供低導通電壓和最小的開關損耗。
 
  與標準TO-247-3L封裝相比,安森美半導體的TO-247-4L IGBT封裝采用TO-247-4L格式,可以降低Eon損耗,并提供分離的開關引腳,可以將Eon損耗降低60%以上。它采用非常高效的Trench Field Stop II技術構建,并針對具有低導通電壓和最小化開關損耗優勢的高速開關進行了優化。通過優化的高速切換,可以提高門控和降低開關損耗。集成具有低正向電壓的軟式、快速共包續流二極管,可以節省電路板空間。
 
  安森美半導體TO-247-4L IGBT的目標應用是太陽能逆變器、不間斷電源(UPS),全半橋拓撲和中性點鉗位拓撲。它可以支持需要1200V解決方案的客戶,并從TO-247-4L封裝所提供的減少Eon開關損耗中獲益。
 
  安森美半導體的TO-247-4L Field Stop II IGBT系列器件采用改進的門控制來降低開關損耗,具有非常高效的帶Field Stop技術的溝槽,TJmax等于175℃。獨立的發射器驅動引腳和采用TO-247-4封裝,可確保最小的Eon損耗。針對高速切換進行了優化,并均是無鉛器件,適用于工業應用。
 
  安森美半導體的TO-247-4L Field Stop II IGBT系列采用先進的Field Stop II Trench架構技術,可有效地提高IGBT的運作效率,并降低Eon損耗,是高功率電源應用的理想選擇。
 
  海飛樂技術有限公司是一家專注于研發、生產IGBT的獨立廠商。多款出口型號得到廣泛應用,客戶遍及全球以及國內各省,涉及應用行業包括電力熱力、電子儀器、家電制造、通信設備、交通運輸、機械制造、材料工藝、汽車配件、紡織設備、節能環保等等,是IGBT模塊之優選解決方案供應商。如需要IGBT替換產品可咨詢我司客服!



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