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富士第七代IGBTX系列IGBT模塊產品特性和供貨情況

作者:海飛樂技術 時間:2017-07-27 14:00

  富士電機從2015年8月開始樣品供貨IGBT模塊的新產品“X系列”。這是該公司IGBT模塊的第七代產品。首先開始樣品供貨的是耐壓1200V的產品,然后陸續供貨耐壓650V及耐壓1700V的產品。在此次發布之前,該公司已在5月份舉辦的功率元件及功率電子設備展“PCIM Europe 2015”上展出了X系列。
  X系列的特點是,安裝面積較原來減小了約36%。此外,通過將連續工作時的最大保證溫度從原來的150℃提高至175℃,還可使輸出電流最大增加35%。
  耐壓650V的產品有10A~600A的多個型號,1200V產品有10A~1800A的多個型號,1700V產品有75A~1800A的多個型號。

富士IGBT模塊 
  從硅器件的第一代到第六代或者以后的第七代的技術開發,還沒有超出改進的范圍,通過對上一代的產品的改進,為客戶帶來更多方便。而以后從硅器件變成碳化硅器件,可以說是革命性的技術飛躍,新的器件跟過往的完全不同。說到碳化硅半導體功率器件,它有四大優點:第一、工作溫度范圍比較大,在高溫下也可工作;第二、低抵抗、耐高破壞性;第三、高頻工作;和第四、散熱性好。碳化硅的功率器件用在系統上它有很多好處,功率的密度可以更高,體積可以更小,更加耐高電壓壓,設計容易,總體來講可以提高功率半導體的效率,運用的領域可以更加廣泛,更為方便。
 
  IGBT芯片技術本身也一直在進步。第三代的IGBT是平板型的構造,第四代是一個溝槽型的構造,第五代成為CSTBT,第六代是超薄化。目前正在開發的第七代IGBT,試圖把CSTBT的構造進一步優化,進一步微細化和超薄化,改善關斷損耗對飽和壓降的折中比例,提高功率半導體的性能。從性能系數來看,第六代已比第一代提高了16倍。如果第七代通過減少無效區間、超微細化等工序,可提高26倍。




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