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賽米控IGBT模塊命名規律 賽米控型號數字字母含義

作者:海飛樂技術 時間:2017-07-26 15:06

  如型號SKM100GB123DL 為了區分和更好的對比我們把該型號分為八個單元—第一單元“SK”,第二單元“M”,第三單元“D”,第四單元“G”,第五單元“B”,第六單元“12”,第七單元“3”,第八單元“D”和“L”。
  第一單元:SK表示SEMIKRON元件。
  第二單元:M表示:MOS技術。
           D表示七單元模塊(三相整流橋加IGBT斬波器)
  第三單元:“100”表示集電路電流等級(Tcase=25℃時的Ic/A)。
  第四單元:“G”表示IGBT開關。
  第五單元:“A”表示單只開關。
           “AL”表示斬波器模塊(igbt加集電極端續流二極管)。
           “AR”表示斬波器模塊(igbt加發射極端續流二極管)。
           “AH”表示非對稱H橋。
           “AY”表示單只IGBT加發射極端串聯二極管(反向阻斷)。
           “AX”表示單只IGBT加集電極端串聯二極管(反向阻斷)。
           “B”表示兩單元模塊(半橋)。
           “BD”表示兩單元模塊(半橋)加串聯二極管(反向阻斷)。
           “D”表示六單元(三相橋)。
           “DL”表示七單元(三相橋加AL斬波器)。
           “H”表示單相全橋。
           “M”表示兩只IGBT在集電極端相連。
  第六單元:“12”代表集電極發射極電壓等級(VCE/V/100)
  第七單元:IGBT系列號
           “0”表示第一代IGBT產品(1988-1991,集電極額定電流為Tcase=80℃時值)
           “1”、“2”表示第一代IGBT產品(1992-1996,集電極額定電流為Tcase=25℃時值);600V產品:集電極額定電流為Tcase=80℃時值。
           “3”表示第二代IGBT產品(600V和1200V:高密度NPT型IGBT);1700V為第一代NPT型IGBT.CAL二極管。600V產品:集電極額定電流為Tcase=80℃時值。1200V與1700V產品:集電極額定電流為Tcase=25℃時值。
           “4”表示高密度、低保和壓降NPT型IGBT(1200V、1700V)。
           “5”表示高密度、高速NPT型IGBT(600V、1200V)。
           “6”表示溝道式NPT型IGBT。
  第八單元:表示IGBT模塊特點,
           “D”表示快速回復二極管。
           “K”表示SEMIKRON五號外殼帶螺栓端子。
           “L”表示六單元外殼帶焊接端子。




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