IGBT驅動板
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650V/300A IGBT模塊

BEE 時間:2019-10-28 17:07

650V/300A IGBT模塊 
650V/300A IGBT模塊電路圖 
  IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為晶體管,它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。  
  海飛樂技術溝槽型場終止IGBT模塊,連續集電極電流300A,集電極-發射極電壓650V。該產品低通態飽和電壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、節能降耗,并全面提升能效。產品適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS和UPS)等高頻應用,幫助最大限度發揮系統的性能。
 
650V/300A IGBT特性
溝槽柵/場終止IGBT
低導通電壓
短路耐受時間10μs
低開關損耗
VCE(SAT)正溫度系數
具有快速軟恢復續流二極管
含銅基板工業標準封裝
 
650V/300A IGBT應用
焊機/電源
UPS/逆變器
工業電機驅動器
 
650V/300A IGBT主要技術參數
650V/300A IGBT主要技術參數 
 
650V/300A IGBT特性曲線
650V/300A IGBT特性曲線 
 
650V/300A IGBT封裝外形、尺寸
650V/300A IGBT封裝外形、尺寸 
 
IGBT模塊使用注意事項
  IGBT管的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離由于此氧化膜很薄,IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓時,會導致損壞的危險 此外,在柵極發射極間開路時,若在集電極與發射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過 這時,如果集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使IGBT管發熱乃至損壞在應用中,有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓為此,通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感 在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓,如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT管就會損壞 為防止這類損壞情況發生,應在柵極一發射極之間接一只10千歐左右的電阻。此外,由于IGBT管為MOS結構,對于靜電就要十分注意。
 
 
  海飛樂技術IGBT采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優質、高效的產品,和國外產品相比,我司的該款產品具有貨期短、性價比高等優點。更多相關產品資料請聯系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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